Premio dei Premi per l’Innovazione 2012

Dopo avere vinto il Premio Nazionale per l’Innovazione nella categoria GREEN, ETA Semiconductors è stata premiata Martedì 12 Giugno 2012 presso il Senato della Repubblica di Roma con il “Premio dei Premi per l’Innovazione 2012” – Università e ricerca pubblica- prestigioso riconoscimento riservato ad aziende, enti pubblici o persone fisiche, individuati tra i vincitori dei premi per l’innovazione assegnati annualmente a livello nazionale – alla presenza del Presidente del Senato, Renato Schifani, e del Ministro dell’Istruzione, dell’Università e della Ricerca, Francesco Profumo.

http://presidente.senato.it/agenda/63836/63837/pagina.htm

http://www.cotec.it/it/2012/06/premio-dei-premi-4/

La motivazione è stata la seguente: “ Per aver sviluppato, nell’ambito dell’Università di Padova, innovativi circuiti integrati per gestire il consumo energetico elle batterie in dispositivi portatili, quali cellulari, tablet e lettori MP3, in grado di consentire un risparmio di energia consumata, una diminuzione di emissioni elettromagnetiche e una riduzione dei costi di produzione.”

Il gruppo è composto da Gaudenzio Meneghesso, dal dott. Fabio Alessio Marino, assegnista presso il nostro Dipartimento, dal dott. Francesco Bianco, laureato in ingegneria (sempre nel nostro dipartimento), attualmente dipendente di una azienda e dal dott. Paolo Menegoli, imprenditore nel settore dei semiconduttori.

Tra i premiati, Barilla, Ansaldo, ST-Microelectronics, ENI, Pirelli, RAI, Selex….

PREMI:

1992 Ha vinto un premio SIP per le migliori sei tesi di laurea discusse presso l’Università di Padova nell’AA 1991-92.

2011 Vincitore di StartCup Veneto 2011 con la proposta “Eta Semiconductor” (10KEuro per finanziare l’avvio di una piccola azienda.

2011 Vincitore di del Premio Nazionale Innovazione “Working Capital ­ PNI” nel settore Green con “Eta Semiconductor”(100KEuro per finanziare l’avvio di una piccola azienda)

BORSE DI STUDIO

Ha vinto una borsa di studio di 6 mesi nell’ambito del programma della Comunità Europea “Human Capital and Mobility” presso l’Università di Twente, Enschede, Olanda.  Durante tale periodo sono stati caratterizzati i dispositivi di protezione contro le scariche elettrostatiche.

BEST PAPER AWARDS

Ha ricevuto il premio per il migliore lavoro scientifico presentato da studente (Best Student Paper Award) alla conferenza internazionale European Symposium Reliability on Electron Devices, Failure Physics and Analysis,  ESREF’96 (Enschede Olanda, 8-11 Ottobre 1996) con il Lavoro dal Titolo: “Turn-On Speed Of Grounded Gate nMOS ESD protection Transistors” con i seguenti autori: G. Meneghesso, J.R.M. Luchies, F. Kuper, A.J. Mouthaan.

Ha ricevuto il premio per il migliore lavoro scientifico presentato (Best Paper Award) alla conferenza internazionale European Symposium Reliability on Electron Devices, Failure Physics and Analysis,  ESREF’99 (Bordeaux, France, 5-8 Ottobre 1999) con il lavoro dal titolo: “HBM and TLP ESD robustness in smart-power protection structures”, con i seguenti autori: S. Santirosi, G. Meneghesso, E. Novarini, C. Contiero, E. Zanoni.

Coautore del “Miglior lavoro” presentato alla riunione annuale del Gruppo elettronica – ISCHIA 2006 con il lavoro dal titolo: “Reliability issues of RF-MEMS switches”, con i seguenti autori: Augusto Tazzoli, Vanni Peretti, Enrico Zanoni, Gaudenzio Meneghesso, Roberto Gaddi, Antonio Gnudi.

Coautore del “Best Student Paper Award” presentato alla conferenza Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proc., EOS/ESD 2006, Tucson, Arizona, September 10-15, 2006, col il lavoro dal titolo “TLP Issues on Ohmic and Capacitive RF-MEMS Switches”, con i seguenti autori: A. Tazzoli, V. Peretti, E. Zanoni, G. Meneghesso,

Ha ricevuto il premio per il migliore lavoro scientifico presentato da studente (Best Paper Award) alla conferenza internazionale European Symposium Reliability on Electron Devices, Failure Physics and Analysis,  ESREF’2007 (Arcachon, France, Ottobre 7-12, 2007) con il Lavoro dal Titolo: “Holding voltage investigation of advanced SCR-based protection structures for CMOS technology”, con i seguenti autori: A. Tazzoli, F.A. Marino, M. Cordoni, A. Benvenuti, P. Colombo, E. Zanoni and G. Meneghesso.

Ha ricevuto il premio per il migliore lavoro scientifico presentato da studente (Best Paper Award) alla conferenza internazionale European Symposium Reliability on Electron Devices, Failure Physics and Analysis, ESREF’2009 (Arcachon, France, Ottobre 6-9, 2009) con il Lavoro dal Titolo: “Reliability analysis of InGaN Blu-Ray Laser Diode”, con i seguenti autori: N. Trivellin, M. Meneghini, G. Meneghesso, E. Zanoni, K. Orita, M. Yuri, T. Tanaka and D. Ueda

Ha ricevuto il premio per il migliore lavoro scientifico presentato da studente (Best Paper Award) alla conferenza internazionale European Symposium Reliability on Electron Devices, Failure Physics and Analysis, ESREF‘2012 con un paper dal titolo: Single- and double-heterostructure GaN-HEMTs devices for power switching applications e con i seguenti coautori: A. Zanandrea, E. Bahat-Treidel, F. Rampazzo, A. Stocco, M. Meneghini, E. Zanoni, O. Hilt, P. Ivo, J. Wuerfl, G. Meneghesso.

Ha ricevuto il premio per il migliore lavoro scientifico presentato (Best Paper Award) alla conferenza internazionale  International Workshop on Nitride Semiconductors IWN2012, Sapporo, Japan, October 14-19, 2012, con un paper dal titolo: Evidence for breakdown luminescence in AlGaN/GaN HEMTs, con i seguenti coautori: M. Meneghini, A. Zanandrea, F. Rampazzo, A. Stocco, M. Bertin, D. Pogany, E. Zanoni, G.Meneghesso

Ha ricevuto il premio per il migliore Poster presentato (Best Poster Award) alla conferenza internazionale  IEEE International  Reliability Physics Symposium (IEEE IRPS),  Waikoloa, HI 1-5 June 2014, con un paper dal titolo: “High-voltage double-pulsed measurement”, con i seguenti coautori: Bisi, D. ; Stocco, A. ; Meneghini, M. ; Rampazzo, F. ; Cester, A. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, E.

Ha ricevuto il premio per il migliore lavoro scientifico presentato da studente (Best Paper Award) alla conferenza internazionale European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 16-20 Sept. 2013, Bucharest con un lavoro  dal titolo “Influence of fluorine-based dry etching on electrical parameters of AlGaN/GaN-on-Si High Electron Mobility Transistors”, e con autori: Bisi, D. ; Meneghini, M. ; Stocco, A. ; Cibin, G. ; Pantellini, A. ; Nanni, A. ; Lanzieri, C. ; Zanoni, E. ; Meneghesso, G.,

 

He got the Best Paper Award at the international conference European Symposium Reliability on Electron Devices, Failure Physics and Analysis ESREF‘2012 with the paper entitled: Single- and double-heterostructure GaN-HEMTs devices for power switching applications, with the following co-authors: A. Zanandrea, E. Bahat-Treidel, F. Rampazzo, A. Stocco, M. Meneghini, E. Zanoni, O. Hilt, P. Ivo, J. Wuerfl, G. Meneghesso.

He got the Best Paper Award at the international conference International Workshop on Nitride Semiconductors – IWN2012 , Sapporo, Japan, October 14-19, 2012, with the paper entitled: Evidence for breakdown luminescence in AlGaN/GaN HEMTs, with the following co-authors: M. Meneghini, A. Zanandrea, F. Rampazzo, A. Stocco, M. Bertin, D. Pogany, E. Zanoni, G.Meneghesso

He got the Best Poster Award at the international conference IEEE International  Reliability Physics Symposium (IEEE IRPS),  Waikoloa, HI 1-5 June 2014, with the paper entitled: “High-voltage double-pulsed measurement”, with the following co-authors: Bisi, D. ; Stocco, A. ; Meneghini, M. ; Rampazzo, F. ; Cester, A. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, E.

He got the Best Student Paper Award at the international conference European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 16-20 Sept. 2013, Bucharest with the paper entitled “Influence of fluorine-based dry etching on electrical parameters of AlGaN/GaN-on-Si High Electron Mobility Transistors”, with the following co-authors: Bisi, D. ; Meneghini, M. ; Stocco, A. ; Cibin, G. ; Pantellini, A. ; Nanni, A. ; Lanzieri, C. ; Zanoni, E. ; Meneghesso, G.,