PUBBLICAZIONI:
I risultati delle attività di ricerca, iniziate nel 1992, sono stati presentati/pubblicati (o sono in corso di presentazione/pubblicazione) in più di 1000 articoli così suddivisi:
- 400 circa su riviste internazionali con referee,
- 600 circa a conferenze internazionali con referee (tra cui più di 100 Invited Talks e 12 “Best Paper Award”),
- 12 capitoli di libro.
Titolare anche di 5 Brevetti
Indicatori bibliometrici (a Agosto 2023):
Scopus:
Documents: 774,
Tot. Citations 14729,
h-index: 56
Google Scholar:
Documents: 1096,
Tot. Citations 19440,
h-index: 67
Selezione delle 10 pubblicazioni più citate su Scopus (Agosto 2023):
- H. Amano, Y. Baines, E. Beam, M. Borga, T. Bouchet, ….. G. Meneghesso, …., Y. Zhang, “The 2018 GaN power electronics roadmap”, TOPICAL REVIEW, J. Phys. D: Appl. Phys. 51 (2018) 163001, Title of contribution: “Reliability of GaN power devices: normally-on and normally-off”, pp.18-20, ISSN: 00223727, doi: 10.1088/1361-6463/aaaf9d Cited 747 times.
- Meneghesso, G., Verzellesi, G., Danesin, F., Rampazzo, F., Zanon, F., Tazzoli, A., Meneghini, M., Zanoni, E., Reliability of GaN high-electron-mobility transistors: State of the art and perspectives, (2008) IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 8 (2), art. no. 4497830, pp. 332-343. DOI: 10.1109/TDMR.2008.923743 Cited 536 times.
- Verzellesi, G., Saguatti, D., Meneghini, M., Bertazzi, F., Goano, M., Meneghesso, G., Zanoni, E., Efficiency droop in InGaN/GaN blue light-emitting diodes: Physical mechanisms and remedies, (2013) Journal of Applied Physics, 114 (7), 071101, DOI: 10.1063/1.4816434, Cited 353 times.
- Bisi, D., Meneghini, M., De Santi, C., Chini, A., Dammann, M., Bruckner, P., Mikulla, M., Meneghesso, G., Zanoni, E. Deep-level characterization in GaN HEMTs-Part I: Advantages and limitations of drain current transient measurements (2013) IEEE Transactions on Electron Devices, 60 (10), art. no. 6605590, pp. 3166-3175. DOI: 10.1109/TED.2013.2279021, Cited 303 times.
- Meneghesso, G., Verzellesi, G., Pierobon, R., Rampazzo, F., Chini, A., Mishra, U.K., Canali, C., Zanoni, E., Surface-related drain current dispersion effects in AlGaN-GaN HEMTs, (2004) IEEE Transactions on Electron Devices, 51 (10), pp. 1554-1561. DOI: 10.1109/TED.2004.835025, Cited 280 times.
- Meneghini, M., Trevisanello, L.-R., Meneghesso, G., Zanoni, E. A review on the reliability of GaN-based LEDs, (2008) IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 8 (2), art. no. 4539822, pp. 323-331. DOI: 10.1109/TDMR.2008.921527, Cited 250 times.
- Meneghini, M., Tazzoli, A., Mura, G., Meneghesso, G., Zanoni, E., A review on the physical mechanisms that limit the reliability of GaN-based LEDs, (2010) IEEE Transactions on Electron Devices, 57 (1), art. no. 5332356, pp. 108-118. DOI: 10.1109/TED.2009.2033649, Cited 239 times.
- Trevisanello, L., Meneghini, M., Mura, G., Vanzi, M., Pavesi, M., Meneghesso, G., Zanoni, E., Accelerated life test of high brightness light emitting diodes, (2008) IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 8 (2), art. no. 4472171, pp. 304-311. DOI: 10.1109/TDMR.2008.919596, Cited 154 times.
- Meneghesso, G., Rampazzo, F., Kordoš, P., Verzellesi, G., Zanoni, E., Current collapse and high-electric-field reliability of unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs, (2006) IEEE Transactions on Electron Devices, 53 (12), pp. 2932-2940. DOI: 10.1109/TED.2006.885681, Cited 153 times.
- Faqir, M., Verzellesi, G., Meneghesso, G., Zanoni, E., Fantini, F., Investigation of high-electric-field degradation effects in AlGaN/GaN HEMTs, (2008) IEEE Transactions on Electron Devices, 55 (7), pp. 1592-1602. DOI: 10.1109/TED.2008.924437, Cited 120 times.
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